ההשקעה האחרונה צפויה לאפשר לסוני להשלים שלב חדש בייצור לרבות בתהליך הכנתה שכבות על שבבי מוליכים למחצה, ויספקו לסוני את מערכת הייצור המשולבת המלאה למערכות אלה.
| חיישני CMOS של סוני |
סוני מתכננת להשקיע 35 מיליארד יין, שהם כ-340 מיליון דולר בהרחבת יכולת הייצור של חיישני תמונה ב-CMOS רב שלבי (stacked CMOS). זאת בשל הדרישה הגדולה לחיישנים אלו בטלפונים חכמים ובטבלטים.
מתוך סכום זה, 30 מיליון דולרים יושקעו במפעל בנגסאקי ו-60 מיליון במפעל בקוממוטו במהלך שנת התקציב הנוכחית. שאר הכסף וישקע בנגאסקי בשנת התקציב 2015. בינואר 2014 הכריזה סוני כי היא מתכננת להשקיע במרכז הטכנולוגי ביאמגאטה כמפעל שיתמחה בחיישני תמונה CMOS רב שלבי שנמכרים בין היתר לאפל.
ההשקעה האחרונה צפויה לאפשר לסוני להשלים שלב חדש בייצור לרבות בתהליך הכנתה שכבות על שבבי מוליכים למחצה, ויספקו לסוני את מערכת הייצור המשולבת המלאה למערכות אלה.
תהליך ייצור חיישני תמונה באמצעות CMOS רב שלבי מאפשרת העברת פיקסלים מוארים מאחור על פרוסות נפרדות למעגלים המשתשמים לעיבוד האותות. שליטה במבנה השכבתי תאפשר את חיבור הפוטו-דיודות וחיווט חיישני ה-CMOS הרב שלבי יחדיו.
ההשקעה תגדיל את קיבולת ייצור החיישנים של סוני לכ-75 אלף פרוסות שבבים בחודש עד אוגוסט 2015, לעומת 60 אלף כיום.
| {loadposition content-related} |
