ההסכם החדש מושתת על ההצלחה של שתי החברות עם הדורות הקודמים של טכנולוגיית התהליך FinFET בגיאומטריות של 16 ו-10 ננומטר
ARM, מפתחת פתרונות IP (קניין רוחני) טכנולוגיים לתעשיית האלקטרוניקה, ו-TSMC הכריזו על הסכם רב-שנתי לשיתוף פעולה לקידום טכנולוגיית תהליך 7nm FinFET, כולל פתרון תכנון עבור מערכות על-גבי שבב (SoCs) עתידיות דלות-הספק ועתירות ביצועים. ההסכם החדש מרחיב את השותפות ארוכת השנים בין החברות ועתיד לקדם טכנולוגיות תהליך מתקדמות אל מעבר לתחום המובייל ואל הדור הבא של הרשתות ומרכזי הנתונים. בנוסף, מרחיב ההסכם שיתופי פעולה קודמים סביב FinFET בתהליכי ייצור בגיאומטריות של 16 ו-10 ננומטר שכללו את ה-ARM Artisan foundation Physical IP.
"כבר הוכח שפלטפורמות קיימות מבוססות-ARM מספקות עלייה של עד פי עשרה בצפיפות המחשוב עבור עומסי עבודה ספציפיים של מרכזי נתונים", אומר פיט האטון, סגן נשיא בכיר ונשיא קבוצות המוצרים ב-ARM. "טכנולוגיית ARM עתידית שתוכננה ספציפית עבור מרכזי נתונים ותשתיות רשת ואשר הותאמה לתהליך 7nm FinFET של TSMC תאפשר ללקוחות המשותפים שלנו להרחיב ולהתאים את הארכיטקטורה בעלת ההספק הנמוך ביותר בתעשייה לכל נקודות הביצועים".
ההסכם החדש מושתת על ההצלחה של שתי החברות עם הדורות הקודמים של טכנולוגיית התהליך FinFET בגיאומטריות של 16 ו-10 ננומטר. החידושים המשותפים שנולדו בשיתופי פעולה קודמים של TSMC ו-ARM אפשרו ללקוחות להאיץ את מחזורי פיתוח המוצרים שלהם ולנצל IP ותהליכים מתקדמים במיוחד. היתרונות של שיתופי הפעולה בין החברות כוללים גישה מוקדמת ל-Artisan Physical IP ו-Tapeout של המעבד Cortex-A72 בתהליך FinFET בגיאומטריות של 16 ו-10 ננומטר.
| {loadposition content-related} |
