לפי יבמ, טכנולוגית TVS תאפשר להתקנים מבוססי HMC של מיקרון להשיג מהירות גבוהה פי 15 לעומת הטכנולוגיה הנוכחית. רכיבי HMC ייוצרו במפעל השבבים המתקדם של יבמ במזרח פישקיל, ניו יורק, תוך שימוש בטכנולוגית 32- ננומטר, high-K metal
| שבב CMOS של יבמ |
קובית הזיכרון ההיברידית (HMC) של חברת מיקרון תהפוך ל-CMOS המסחרי הראשון שישלב את תהליך through-silicon via (TVS) של יבמ. כך מסרו שתי החברות ביום חמישי.
לפי יבמ, טכנולוגית TVS תאפשר להתקנים מבוססי HMC של מיקרון להשיג מהירות גבוהה פי 15 לעומת הטכנולוגיה הנוכחית. רכיבי HMC ייוצרו במפעל השבבים המתקדם של יבמ במזרח פישקיל, ניו יורק, תוך שימוש בטכנולוגית 32- ננומטר, high-K metal.
באוקטובר, הודיעו מיקרון וסמסונג על הקמת קונסורציום סביב HMC, טכנולוגיה המאחדת את מעבדי ה-DARAM והלוגיקה לאריזה אחת שתציע יעילות בצריכת החשמל, רוחב פס גבוה יותר, צפיפות ויכולת שידרוגיות על פני ה-DRAM המסורתי. טכנולוגית HMC תשתמש בצינור רוחבי של TVS כדי לחבר מספר שבבים וכך לשלב לוגיקה עתירת ביצועים עם זכרונות ה-DRAM של מיקרון.
יבמ מסרה כי תמסור פרטים נוספים על פריצותה דרך בתהליך ייצור ה-TVS במפגש ה-IEEE שיעסוק במיכשור אלקטרוני, שיתכנס מחר (5 בדצמבר) בוושינגטון הבירה.
