צוות מחקר הכולל חוקרים ממעבדות המחקר של יבמ, גלובל פאונדריז, טושיבה ו-NEC יצרו תא SRAM בשטח של 0.063 מיקרון תוך שימוש בטכנולוגית ליטוגרפיה אופטית וטרנזיסטורי FinFET
.
| לוגו של יבמ |
צוות מחקר הכולל חוקרים ממעבדות המחקר של יבמ, גלובל פאונדריז, טושיבה ו-NEC יצרו תא SRAM בשטח של 0.063 מיקרון תוך שימוש בטכנולוגית ליטוגרפיה אופטית וטרנזיסטורי FinFET. החוקרים עומדים להציג את המחקר בסימפוזיון שיעסוק בטכנולוגית VLSI שיתקיים בהונולולו, הוואי בין ה-15 וה-17 ביוני.
החוקרים טוענים כי שטח התא שיוצר בעבודתם הוא תא ה-SRAM הקטן ביותר שנוצר בטכנולוגית ליתוגרפיה אופטית. הוא יוצר באמצעות שער בגודל 80 ננומטר ו-FIN של 40 ננומטר והוא מתאים לשימוש בשבבים בטכנולוגית 22 ננומטר.
התא פועל בצריכת חשמל של 0.4 וולט. תהליך sidewall image transfer (SIT) בחשיפה כפולה וחריטה כפולה משמש לייצור ה-FIN-ים.
| {loadposition content-related} |
