לדברי החברה, רכישת הרישיון לטכנולוגיית ה-GaN של TSMC תאפשר ל-ROHM להגדיל את יכולת האספקה שלה, כדי לעמוד בביקוש הגובר לשבבי ניטריד גליום ביישומים כגון שרתי בינה מלאכותית וכלי רכב חשמליים
חברת השבבים היפנית ROHM Semiconductor הודיעה כי תשלב את טכנולוגיות הפיתוח והייצור שלה לשבבי הספק מבוססי ניטריד הגליום (GaN) עם טכנולוגיית התהליך של TSMC, במטרה להקים מערכת ייצור מלאה לשבבים מסוג זה.
לדברי החברה, רכישת הרישיון לטכנולוגיית ה-GaN של TSMC תאפשר ל-ROHM להגדיל את יכולת האספקה שלה, כדי לעמוד בביקוש הגובר לשבבי ניטריד גליום ביישומים כגון שרתי בינה מלאכותית וכלי רכב חשמליים.
יתרונות שבבי ניטריד גליום
שבבי הספק המבוססים על Gallium Nitride מהווים חלופה לשבבים המבוססים על סיליקון או קרביד הסיליקון. לפי ROHM, הם מציעים ביצועים מצוינים במתחים גבוהים ובתדרים גבוהים, ולכן מאפשרים:
- יעילות אנרגטית גבוהה יותר
- הקטנת ממדי מערכות הספק
- שיפור ביצועי ממירי כוח
הטכנולוגיה כבר נמצאת בשימוש נרחב במוצרי צריכה כגון ספקי כוח, אך החברה רואה פוטנציאל משמעותי גם במטענים מובנים לרכב חשמלי ובספקי כוח חזקים יותר עבור שרתי בינה מלאכותית.
מפעל הייצור ביפן
ROHM הייתה בין החברות הראשונות שפיתחו מוצרים מבוססי GaN. בשנת 2022 פתחה החברה מתקן לייצור המוני של שבבי GaN במתח של 150 וולט בעיר Hamamatsu.
בתחום המתח הגבוה יותר, החברה שיתפה פעולה עם מספר שותפים – ובהם TSMC. בסוף 2024 הכריזו שתי החברות על שיתוף פעולה בתחום “Automotive GaN”, כלומר שבבי ניטריד גליום המיועדים ליישומים ברכב.
הסכם הרישוי החדש
כעת חתמו שתי החברות על הסכם רישוי שלפיו טכנולוגיית התהליך של TSMC לשבבי GaN במתח של 650 וולט תועבר למפעל של ROHM בהמאמאצו.
לפי התכנון, ROHM צפויה להשלים את הקמת קו הייצור עד 2027, כדי לענות על העלייה בביקוש לשבבי הספק מתקדמים עבור מערכות רכב חשמלי ותשתיות מחשוב עתירות ביצועים.
שינוי במבנה השותפות
החברות מציינות כי ההסכם החדש הוא המשך טבעי לשיתוף הפעולה ביניהן, אך גם מסמן סיום חלקי של השותפות בתחום הרכב. לאחר השלמת העברת הטכנולוגיה, ROHM ו-TSMC יסיימו בהסכמה את שיתוף הפעולה בתחום GaN לרכב.
עם זאת, שתי החברות מתכוונות להמשיך לשתף פעולה בפיתוח מערכות אספקת כוח יעילות וקומפקטיות יותר עבור יישומים עתידיים.
