אינטל כוללת הכנסת טרנזיסטורים מסוג RibbonFET GAA ורשת ספק כוח על גבי השבב BSPDN החל מ-20A (20 אנגסטרום או 2 ננומטר), אחר כך לשפר אותם עם 18A, ולאחר מכן להתחיל להשתמש בכלי High-NA EUV לצומת ייצור מתקדם מ-18A כדי להציע תכונות של כוח, ביצועים ושטח, וזמן מחזור נמוך ביותר
אינטל החלה לקבל השבוע את כלי הליתוגרפיה האולטרה סגול (EUV) הקיצוני של ASML עם מרחב נומרי של 0.55 (High-NA), שתשתמש בו ללמוד כיצד להשתמש בטכנולוגיה לפני שיפעיל את המכונות לצומת ייצור מתקדם מ-18A בשנים הקרובות. לעומת זאת, TSMC אינה ממהרת לאמץ את High-NA EUV בקרוב, וייתכן שיעברו שנים לפני שהחברה תקפוץ על עגלה זו ב-2030 או מאוחר יותר, לפי אנליסטים מ-China Renaissance ו-SemiAnalysis. כך עולה ממאמר שפורסם באתר Tom's Hardware.
סז'הו נג, אנליסט מ-China Renaissance, כתב: "בניגוד לשימוש של אינטל ב-High-NA EUV מיד לאחר המעבר ל-GAA (שתוכנן להשתלב ב-20A), אנו מצפים ש-TSMC תשתמש ב-High-NA EUV בתקופת ה-N1.4 (שינוי חשוב ב-N1, שתוכנן להשקה אחרי 2030)".
אינטל כוללת הכנסת טרנזיסטורים מסוג RibbonFET GAA ורשת ספק כוח על גבי השבב BSPDN החל מ-20A (20 אנגסטרום או 2 ננומטר), אחר כך לשפר אותם עם 18A, ולאחר מכן להתחיל להשתמש בכלי High-NA EUV לצומת ייצור מתקדם מ-18A כדי להציע תכונות של כוח, ביצועים ושטח, וזמן מחזור נמוך ביותר.
אינטל מתכננת להכניס עיצוב דפוסים החל מ-20A (שעומדת להיכנס לייצור בכמות גדולה) ולאחר מכן High-NA EUV החל מצומת ייצור שלאחר 18A, מה שיאפשר לחברה להפחית את מורכבות זרימת התהליך שלה ולהימנע משימוש בחשיפה כפולה של EUV.
עם זאת, כלי הליתוגרפיה של High-NA EUV יקרים בהרבה ממכונות הסריקה של Low-NA EUV, אך ל-High-NA EUV יש פרטים רבים, כולל שדה חשיפה קטן פי 2. כתוצאה מכך, אנליסטים מ-SemiAnalysis ו-China Renaissance סבורים שהשימוש במכונות High-NA EUV יהיה יקר יותר משימוש בחשיפה כפולה של Low-NA EUV, לפחות בהתחלה, ולכן TSMC עשויה לא להיות מוטה להשתמש בטכנולוגיה זו לאורך זמן כדי לשמור על עלויות נמוכות, אך על חשבון מורכבות ייצור ואולי צפיפות טרנזיסטורים נמוכה יותר.
"חשיפה כפולה של Low-NA EUV, למרות יעילות נמוכה יותר על פני כמה חשיפות, עדיין עשויה לעלות פחות מ-High-NA EUV בפריצת הדרך הראשונה של GAA; הכוח הגבוה יותר של מקור האור של High-NA EUV להגדלת ה-CD (ממד ביקורתי) מאיץ את הבלאי של אופטיקות הפרויקציה והמסכות הפוטוגרפיות, ומכביד על היתרונות של יעילות גבוהה יותר," הסביר סז'הו נג. "זה קשור למנהג של TSMC למקד את השוק בנפח עם הטכנולוגיות התחרותיות ביותר מבחינת עלות."
TSMC התחילה להשתמש בכלי ליתוגרפיה אולטרה סגול (EUV) לייצור המוני של שבבים בשנת 2019, חודשים אחרי סמסונג פאונדריז אך שנים לפני אינטל. אינטל רוצה להיות לפני סמסונג ו-TSMC עם High-NA EUV, מה שעשוי להבטיח יתרונות טקטיים ואסטרטגיים.
