המשקיעה האסטרטגית HKMC – יונדאי וקיה – רואה בטכנולוגיית GaN רכיב מרכזי בדורות הבאים של פלטפורמות הרכב החשמלי שלה, כדי לשפר נצילות, אמינות וביצועים, ולחסוך משקל ונפח במערכת ההנעה. בחברה מציינים כי שיתוף הפעולה עם ויסיק מיועד לשלב רכיבי GaN מתקדמים במערכות ההנעה של דגמי העתיד, כחלק מהמאמץ להגדיל את טווח הנסיעה ולהקטין עלויות ייצור.
חברת ויסיק טכנולוג'יז (VisIC Technologies) מנס ציונה, המפתחת רכיבי הס功יות (GaN) להספק גבוה בתחום הרכב החשמלי, הודיעה על השלמת סגירה שנייה של סבב גיוס B בהיקף 26 מיליון דולר. את הסבב הוביל "יצרן שבבים גלובלי מוביל" (ששמו לא פורסם), ואליו הצטרפו כמשקיעות אסטרטגיות יונדאי מוטור וקיה (Hyundai Motor Company & Kia – HKMC). הגיוס מחזק את מעמדה של ויסיק כשחקנית מובילה בדור הבא של ממירי ההספק (traction inverters) לרכבים חשמליים.
מיקוד בהספק לרכב חשמלי ובשיתוף פעולה עם יונדאי-קיה
ויסיק מתמקדת ברכיבי GaN להספק גבוה, המבוססים על פלטפורמת D³GaN™ שפותחה בחברה. לפי ההודעה, ההשקעה החדשה נועדה להאיץ את מפת הדרכים של החברה בתחום ממירי ההספק לרכב חשמלי, בעיקר לארכיטקטורות 400 וולט ו-800 וולט – שני הסטנדרטים המרכזיים בשוק הרכב החשמלי.
המשקיעה האסטרטגית HKMC – יונדאי וקיה – רואה בטכנולוגיית GaN רכיב מרכזי בדורות הבאים של פלטפורמות הרכב החשמלי שלה, כדי לשפר נצילות, אמינות וביצועים, ולחסוך משקל ונפח במערכת ההנעה. בחברה מציינים כי שיתוף הפעולה עם ויסיק מיועד לשלב רכיבי GaN מתקדמים במערכות ההנעה של דגמי העתיד, כחלק מהמאמץ להגדיל את טווח הנסיעה ולהקטין עלויות ייצור.
מנכ"לית ויסיק, תמרה באקשט, מסרה כי ההשקעה "מסמנת נקודת ציון משמעותית עבור ויסיק ותעשיית הרכב החשמלי העולמית. טכנולוגיית D³GaN שלנו מגדירה מחדש את האופן שבו בנויים ממירי ההספק ברכב חשמלי, והשותפות האסטרטגית עם משקיעים גלובליים מאפשרת לנו להאיץ את החדירה לשוק ואת פריסת הטכנולוגיה בקנה מידה רחב".
GaN מול סיליקון ו-SiC: קטנים יותר, יעילים יותר
בלב סיפור הגיוס עומד צוואר הבקבוק של הרכב החשמלי: יעילות האלקטרוניקה להספק. פתרונות מסורתיים המבוססים על סיליקון מתקשים לעמוד בדרישות הנצילות והצפיפות ההספקית של פלטפורמות הדור הבא, במיוחד במתחים גבוהים. בשנים האחרונות נכנסו לשוק רכיבי SiC (סיליקון קרביד), המציעים ביצועים טובים יותר אך במחיר גבוה ותהליך ייצור מורכב.
ויסיק טוענת כי רכיבי GaN שפיתחה מאפשרים לבנות ממירי הספק קטנים, קלים ויעילים יותר, עם הפסדי אנרגיה נמוכים יותר – ולכן גם חיסכון בסוללה, הארכת טווח הנסיעה וצמצום עלויות מערכת. לדברי החברה, הפלטפורמה שלה נועדה לתת מענה גם לפלטפורמות 400 וולט הנפוצות כיום וגם למערכות 800 וולט, שנכנסות לשוק בעיקר ברכבי פרימיום ובכלי רכב מהירי טעינה.
מה יעשו עם הכסף: דור 3, דור 4 וכניסה למרכזי נתונים
על פי ההודעה, כספי הסבב יופנו למספר יעדים טכנולוגיים ותפעוליים:
- השלמת פיתוח, אופטימיזציה והסמכה של רכיבי ומודולי GaN מדור שלישי במתח של 750 וולט – מיועדים לממירים ברכב חשמלי.
- פיתוח טכנולוגיית GaN במתח 1,350 וולט (דור רביעי) – שתאפשר לכסות את כל טווח התכנונים של רכבי הספק גבוה ותשתיות נוספות.
- ייצוב שרשרת האספקה והגדלת יכולת הייצור, כדי לעמוד בביקוש הצפוי מצד יצרני רכב חשמלי.
- התרחבות לשוק מרכזי הנתונים ב-800 וולט, תוך שימוש באותה פלטפורמת GaN לשיפור הנצילות של ספקי כוח לדאטה סנטרים, תחום הנמצא גם הוא בלב מהפכת הבינה המלאכותית ודורש צריכת חשמל אדירה.
בחברה מדגישים כי השילוב בין משקיע פיננסי מהתעשייה לבין משקיעה אסטרטגית כמו יונדאי-קיה מחזק את מעמדה של ויסיק כשחקנית מפתח בשרשרת הערך של הרכב החשמלי, ומייצר עבורה נתיב מואץ מהמעבדה לפלטפורמות סדרתיות בכביש.
