מחקר חדש של Intel Foundry מציג פרוסת שבב בקוטר 300 מ״מ המשלבת רכיבי גליום-ניטריד עם לוגיקת סיליקון, צעד שעשוי לשפר אספקת חשמל ויעילות במרכזי נתונים, רובוטיקה וכלי רכב חשמליים
אינטל חשפה פיתוח חדש בתחום הייצור השבבי: שילוב של מוליכי־למחצה מסוג גליום-ניטריד (GaN) עם לוגיקת סיליקון על גבי שבב דק במיוחד. לפי הדיווח, מדובר בפרוסת GaN-on-silicon בקוטר 300 מ״מ, שבה שכבת הסיליקון הדקה מגיעה לעובי של 19 מיקרון בלבד.
החידוש המרכזי הוא האפשרות לשלב על אותו רכיב גם פונקציות של אספקת כוח וגם פעולות לוגיות בסיסיות, במקום להסתמך על שבב נפרד שינהל את אספקת המתח. באינטל מציינים כי הטכנולוגיה הודגמה בתהליך 30 ננומטר, עם נשיאת זרם יציבה, אובדן הספק נמוך ויכולת חסימת מתח של עד 78 וולט ללא זליגה.
עוד דווח כי אינטל בחנה רכיבים לוגיים שונים, ובהם מהפכים, שערי NAND, מולטיפלקסרים ומתנדים טבעתיים. לפי הנתונים, זמן המיתוג שהושג הוא 33 פיקו-שניות באופן עקבי על פני כל הפרוסה. בחברה סבורים כי לשילוב בין GaN לסיליקון עשוי להיות פוטנציאל ביישומים שבהם נדרשים צפיפות הספק גבוהה, עמידות תרמית ויעילות משופרת, כגון רובוטיקה, רכב חשמלי ומרכזי נתונים לבינה מלאכותית.
