פתרונות בקרי הזכרון החדשים מיוצרים בתהליכי 28HP ו-28HPM של חברת TSMC לייצור מערכות על-שבב
| זכרונות DDR4 |
קיידנס (Cadence), הכריזה כי המוצרים הראשונים במשפחת בקרי הזיכרון Cadence DDR4 SDRAM הוכיחו את פעולתם בסיליקון במסגרת תהליכי 28HP ו-28HPM של חברת TSMC לייצור מערכות על-שבב.
קיידנס ביצעה אפיון של גרסאות רבות ל- DDR PHY בפרוסות סיליקון של 28 ננומטר. אפיון זה התבסס על תרשימים מתקדמים של גרסת התקן של DDR4, שתושק על ידי חברת JEDEC בהמשך השנה.
גרסת התקן שלDDR4 תציע למשתמשים ביצועים משופרים בצורה משמעותית בהשוואה ל-DDR3 – רכיבי DRAM שיאמצו את התקן של DDR4 צפויים להשיג עלייה של 50% בתדירות הקריאה והכתיבה לזיכרון, ולהכפיל את קיבולת הזיכרון בהשוואה לביצועי הרכיבים הפועלים באמצעות DDR3. צריכת האנרגיה של ה-DRAM עתידה להצטמצם ב-40% לכל ביט משודר. הפיתוחים הללו מאפשרים כעת ליצרני המערכות על-שבב להשתמש בבטחה בטכנולוגיות זיכרון מהירות וחסכוניות באנרגיה לעיצוב הדור הבא של המכשירים הניידים.
"אנו שמחים להיות הראשונים שמציעים זיכרון DD4 מוכח סיליקון ותמיכת PHY", אומר מארק גרינברג, מנהל השיווק של חטיבת מוצרי העל-שבב בקיידנס. "הטכנולוגיה תאפשר ללקוחותינו לשפר ביצועים וצריכת אנרגיה בדור הבא של מערכות על-שבב, תוך צמצום הסיכונים. פורטפוליו פתרונות ה-IP הרחב שלנו מציע תכונות מתקדמות וגישה ייחודית להתאמה אישית המאפשרים ללקוחות לתכנן מוצרים מובדלים ולקצר את זמן הכניסה לשוק".
| {loadposition content-related} |
