הגישה החדשה מיועדת לאפשר ייצור בטכנולוגיות 10 ו-7 ננומטר
| ייצור שבבים ב-TSMC. תמונת יח"צ |
אינטל ו-TSMC הכריזו, כל אחת בנפרד בכנס שעסק בליתוגרפיה שהתקיים בסן חוזה, על הגברת מאמצי הפיתוח של טכנולוגיות ליתוגרפיה באולטרה-סגול קיצוני extreme ultraviolet lithography. (EUV). טכנולוגיה זו נראתה ככלי המבטיח ביותר להקל על המורכבות בפיתוח הדורות הבאים של שבבים קטנים ומהירים.
אינטל ו-TSMC מבקשות להשתמש במערכות תבניות עדינות במיוחד כדי לייצר את הדורות הבאים של שבבים 10 ו-7 ננומטר בסביבות שנת 2017. ואולם כבר היינו בסרט הזה, הנסיונות לפתח את הטכנולוגיה היו אמורים להבשיל כבר בשנת 2007.
בועידת SPIE Lithography אמר מרק פיליפס, מנהל ההנדסה הליתוגרפית באינטל אמר כי ה-ASML מפתחת כלים מתמטיים להתמודד עם טעויות בשבבי הדור הבא.
| {loadposition content-related} |
