שתי החברות הציגו בנפרד את ממצאי הייצור הנסיוני שעשו בכנס שהתקיים בשבוע שעבר ביפן
| קונספט עתידי של קוביות זכרון. איור: יבמ |
שתי יצרניות שבבים גדולות – טושיבה ו-TSMC דיווחו בנפר כי פיתחו זכרונות ROM ממוסכים mask read-only memories (MROMs) שיכולים להציע צפיפות נתונים הרבה יותר גבוהה באמצעות איחסון מספר ביטים בתא.
מערכות mask ROM קונבנציונליות נבנות בצמתים של מילה ושורות של ביטים מאוחסינים בתצורה של ביט אחד לתא בין אם דיאודה מחברת ביניהם ובין אם לא. ואולם בשל השונות של מבנה צמתי הייצור המודרניים והערוץ ההולך ונהיה צר בין הטרנזיסטורים בתא בטכנולוגית 40 ננומטר, זמן הגישה גדל ביחס לדורות הייצור הקודמים.
טושיבה פיתחה תא מרובה ביטים תוך שימוש בשטח כפול לעומת תאים בודדים סטנדרטיים ודווחו על כך בסימפזיון שעסק במעגלי VLSI בקיוטו, יפן. המאמר תיאר תא מתוכנת משולש-חיווט -wire program cell (TWPC) המורכב מתא טרנזיסטור בודד בעל שלוש שורות ביטים ומאחסן שני ביטים של נתונים בכל תא. טושיבה בנתה את זכרון של 1 מגהביט לנסיון בטכנולוגית 40 ננומטר תוך שימוש ב-TWPC ומדווחת על שיפור של 38% בזמן הגישה
באותו כנס הודיעה גם חברת TSMC כי יצרה תאי ROM בעלי ביטים כפולים בתהיך ייצור 28 ננומטר. המאמר שהוצג מכסה שני שלבים של קידוד מעגלים המתאים לייצור חיישנים. TSMC מדווחת כי התהליך סייע לשיפור של 30% במהירות והפחית את צריכת האנרגיה ב-190 מיליוואט.
| {loadposition content-related} |
