המערכת מיועדת לבקרת תהליך inline בייצור GAA וב־DRAM מתקדם, ומטרתה לקצר משוב, לאתר חריגות כמעט בזמן אמת ולשפר תשואה
נובה הודיעה כי פלטפורמת המטרולוגיה לחומרים Nova Metrion אומצה על ידי שני יצרנים גלובליים מובילים בתחומי התקני הזיכרון והלוגיקה. לפי הודעת החברה, המערכת נרכשה לצורך ייצור טרנזיסטורי Gate-All-Around (GAA) וכן לייצור מתקדם של התקני DRAM, במטרה לשפר ביצועים ותשואה (yield) ולהאיץ משוב תהליכי בייצור.
לדברי החברה, האימוץ בשני תחומי מפתח – לוגיקה וזיכרון – מהווה עבורה אבן דרך בהרחבת נוכחותה בשוק המטרולוגיה לחומרים, דווקא בנקודות המפנה הטכנולוגיות המרכזיות שמניעות כיום את צמיחת תעשיית השבבים.
גבי וייסמן, נשיא ומנכ״ל החברה, מסר כי אימוץ הפלטפורמה אצל יצרנים מובילים “מדגיש את המחויבות של נובה לאפשר את המעברים הטכנולוגיים המתקדמים ביותר בתעשייה”, והוסיף שהחברה רואה במהלך ביטוי להתאמה של סל הפתרונות שלה לצורכי לקוחותיה, ולמיקוד בצמיחה בת־קיימא באמצעות הובלה טכנולוגית.
מערכת SIMS אוטומטית לבקרת תהליך בתוך קו הייצור
Nova Metrion מתוארת כהתקן Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) אוטומטי לחלוטין, שאומת לשימוש בבקרת תהליך “inline” – כלומר בתוך רצף הייצור במפעל השבבים (fab), ולא רק בבדיקות מעבדה חיצוניות. לפי החברה, היכולת לבצע מיפוי על פני פרוסה שלמה (full-wafer mapping) מקצרת את זמן המשוב למהנדסי התהליך ומאפשרת לזהות חריגות תהליך כמעט בזמן אמת, כדי לצמצם פסילות (scrap) ועבודות תיקון יקרות.
החברה מדגישה כי מידע מהיר הוא רכיב מרכזי ב־Statistical Process Control, וכי הייחוד של המערכת הוא בביצוע מדידות חוזרות – שבדרך כלל נעשות במעבדה – בתוך המפעל עצמו, כחלק מתהליך הבקרה השוטף.
פרופיל הרכב כימי לעומק שכבות מורכבות
לפי הודעת נובה, המערכת מיועדת לספק תוצאות מטרולוגיה מדויקות לבקרת תהליכים בשכבות דקות ומערכי שכבות מורכבים (complex film stacks) הן בהתקני לוגיקה והן בהתקני זיכרון. Nova Metrion מודדת ריכוז של מינים כימיים כפונקציה של עומק, ומפיקה פרופילים הרכביים שנועדו לסייע בניטור ובבקרה על פרמטרים כגון ריכוז דופנטים, אחידות השתלה (implant uniformity) ורמות זיהום.
