במשך שנים משקיעות חברות מוליכים למחצה במחקר לייצור טרנזיסטורים III-V על מצעי סיליקון, כעת מבקשים החוקרים לשלב חומרים נוספים שיאפשרו את המיזעור
| שבב בטכנולוגית ייצור 7 ננומטר שמפתחים באוניבריסטת פנסילבניה עבור סמסונג |
סמסונג מממנת חוקרים מאוניברסיטת פנסילבניה המפתחים שיטת ייצור שבבי FinFETs שתשלב בנוסף לסיליקון גם גליום ארסניד אינדיום III-V לשימוש אפשרי בצמתים בטכנולוגית 7 ננומטר.
FinFET – טכנולגיה שבה טרנזיסטורים תלת ממדיים שהשערים מסודרים בהם בצורת סנפירים המנצלים את אפקט השדה המאפשר זליגה נמוכה וביצועים גבוהים. החוקרים מבקשים לשלב את הטוב משתי העולמות – גליום ארסנייד וסיליקון ופיתחו טרנזיסטורי InGaAs FinFET המשתמשים במבנה בעל חמישה שערים הגדל על מצע אינדיום פוספיד (InP) במסגרת חקר החומרים במעבדה לננו-ייצור.
במשך שנים משקיעות חברות מוליכים למחצה במחקר לייצור טרנזיסטורים III-V על מצעי סיליקון, כולל אינטל, SEMATECH, ולאחרונה, Imec.. הסיבה לשימוש במצע הסיליקון היא העלות הנמוכה המתאפשרת בשל שימוש בציוד הקיים המותאם במיוחד לשימוש בסיליקון, עם זאת, מקווים בפן סטייט לשלב את החומרים עם החומרים המשמשים את ה-CMOS בפרוסות שבבים בקוטר 300 מילימטר.
| {loadposition content-related} |
