תהליכי יצור חדשים אלו יאפשרו ייצור שבבים על משטחים בעלי גמישות פיזית
טאואר-ג'אז הודיעה ביום חמישי האחרון על שיתוף פעולה עם חברת American Semiconductor, לייצור שבבים על משטחים גמישים. חברת American Semiconductor הודיעה כי טאואר-ג'אז הינה החברה הראשונה בעולם בעלת טכנולוגית CMOS המאפשרת ייצור שבבים אלו תוך יישום תהליך ה- FleX Silicon-on-Polymer. של American Semiconductor.
תהליך ה-FleX Silicon-on-Polymer מאפשר המרת הטכנולוגיה מפרוסות הסיליקון המסורתיות לפרוסות גמישות, אותן ניתן להצמיד למשטחים שאינם שטוחים, תוך שילוב הדפסים אלקטרוניים וזאת במטרה ליצור מערכות היברידיות גמישות. "תהליך ה-FleX הוכיח את עצמו במספר רב של תהליכי אב-טיפוס," אמר ריץ' צ'ייני, מנכ"ל American Semiconductor. "השותפות עם טאואר-ג'אז, באמצעות טכנולוגיית ה- CS18 של החברה, תגדיל במידה רבה את זמינות השבבים הגמישים ותביא תועלת רבה לשוק האלקטרוניקה הגמישה."
" FleX הינו תהליך אשר ניתן ליישמו תוך שימוש בפלטפורמת ה-SOI של טאואר-ג'אז, ובכך לאפשר הפיכתו של כל מוצר לגמיש, דבר שמאפשר ללקוחותינו יצירת פתרונות ייחודיים," אמר ד"ר מרקו רקאנלי, סמנכ"ל טאואר-ג'אז. "אנו נרגשים משיתוף הפעולה עם חברת American Semiconductor ומצפים בקוצר רוח להשתתפותנו בצמיחת שוק חדש זה."
FleX תואם הדפסים אלקטרוניים לייצור מערכות היברידיות בעלות גמישות פיזית אשר מאפשרות חדשנות ביישומים רבים הכוללים אנטנות מותאמות למשטחים לא ישרים ואנטנות משולבות, למכשירי ניטור רפואיים, לאפליקציות בתחום הרכב, האוויר והחלל וכן עבור אלקטרוניקה לצרכנים.
חברת American Semiconductor מציעה תמיכה מלאה עבור שבבי FleX ועבור פיתוח מערכות היברידיות גמישות. תמיכה זו כוללת תכנון עבור מעגלים משולבים המיוצרים בכל הטכנולוגיות בשיטת מבוססות ה-CMOS אותן מציעה טאואר-ג'אז.
{loadposition content-related} |