TSMC חוזרת בכך על תבנית שבה נקטה בפיתוח טכנולוגית 6 ננומטר שהיא תהליך משודרג לתהליך 7 ננומטר החזק ביותר – המכונה 7+ היתרון הוא שבזמן שהביצועים וצריכת החשמל ממשיכים להשתפר מיטוב, העיצוב בין הטכנולוגיות תואם ובלקוחות יכולים לעבור בקלות ולקבל אותו שבב בעלות נמוכה יותר ובביצועים גבוהים יותר
TSMC חשפה רשמית את קיומו של תהליך ייצור חדש של 4 ננומטר. תהליך הייצור ייכנס לתפר שבין בין צומת ה – 5nm ו – 3nm שנמצאים כבר במפת הדרכים של החברה.
מנכ"ל TSMC, ליו דייין, דווח כי הודיע בישיבת בעלי המניות של החברה, כי החברה תפתח את תתהליך 4 ננומטר. תהליך ה – 4 ננומטר הוא גרסה משופרת לתהליך ההמתקדם ביותר של החברה – 5nm, וצפוי לפעול לייצור המוני בשנת 2023.
TSMC חוזרת בכך על תבנית שבה נקטה בפיתוח טכנולוגית 6 ננומטר שהיא תהליך משודרג לתהליך 7 ננומטר החזק ביותר – המכונה 7+ היתרון הוא שבזמן שהביצועים וצריכת החשמל ממשיכים להשתפר מיטוב, העיצוב בין הטכנולוגיות תואם ובלקוחות יכולים לעבור בקלות ולקבל אותו שבב בעלות נמוכה יותר ובביצועים גבוהים יותר.
שגרת ערכת השבבים המדלגת קדימה ואחורה התחילה עם תהליך 16 ננומטר, אך התהליך הדומה של סמסונג נקרא אז 14 ננומטר. כדי לעמוד בתחרות היא הקטינה עוד יותר את גודל הצמתים ל-12 ננומטר והציתה את מירוץ החימוש שבו אנו נמצאים היום.
על פי התוכנית, TSMC תייצר המון את הדור הראשון של שבבי 5 ננומטר ברבעון הרביעי של 2020. החברה השלימה גם את המסגרת העיצובית של תהליך ה – 3nm. תהליך ה – 3nm צפוי להיכנס לייצור נסיוני במחצית הראשונה של 2021. ככל היודע, TSMC כבר מתחילה לפתח את הדור שאחריו – 2 ננומטר.
