TSMC כבר עשתה טייפאאוט לכמה שבבי 20 ננומטר, והיא מצפה להתחיל לספק ללקוחות תכנונים של שבבי 16 ננומטר FinFET לפני סוף השנה.
| ייצור שבבים. תצלום יח"צ TSMC |
TSMC הכריזה בכנס שהתקיים השבוע בסן פרנסיסקו על ההתקדמות הרציפה שלה לעבר שתי טכנולוגיות הייצור הבאות שיביאו שיפור בביצועים וצריכת חשמל נמוכה. אם כי החדשות הרעות הן שהטכנולוגיות החדשות יוסיפו מעט מאוד לצפיות הטרנזיסטורים ולפיכך יגדילו את העלות לעומת ההתקדמויות הטכנולוגיות הקודמות.
TSMC כבר עשתה טייפאאוט לכמה שבבי 20 ננומטר, והיא מצפה להתחיל לספק ללקוחות תכנונים של שבבי 16 ננומטר FinFET לפני סוף השנה. עד סוף 2014 היא מפויה לבצע טייפאאוט ללפחות 25 שבבי 20 ננומטר והמשיך בעבודה על 30 שבבי 16 ננומטר.
הן טכנולוגית 20 ננומטר והן זו של 16 ננומטר מהוות נקודות מפנה חשובות. טכנולוגית 20 ננומטר היא הראשונה המשתמשת בתבנית כפולה, דבר הדורש יותר מסכות ולפיכך גם הרצות וטבילות במכונת הליתוגרפיה. הצפי הוא שטכנולוגיות בגודל 10 ננומטר ומטה ידרשו שלושה או ארבעה תבניות, דבר שיעלה את המחיר שוב.
טכנולוגית 16 ננומטר היא הראשונה בה נעשה שימוש ב- FinFETs כלומר טרנזיסטורים אנכיים. אמנם מדובר בתוספת פשוטה של FinFETs לתהליך 20 ננומטר ולפיכך היא לא תיתן רווח באריזת יותר טרנזיסטורים לשטח נתון, אך תאפשר הפחתה בצריכה או עליה בביצועים.
| {loadposition content-related} |
