החברה תספק מעגלי RFeIC מסוג Single-Chip/Single-Die בתהליכי ייצור תואמים לאלו של שבבי WLAN SoC המתקדמים ביותר
RFaxis, חברת fabless למוליכים למחצה אשר מתמקדת בפיתוח של פתרונות RF חדשניים מהדור הבא לשווקים של קישוריות אלחוטית וניידות סלולרית, הכריזה היום על הצגת משפחה של מוצרי Nano RF אשר מכונים Nucleus .
ההתקן הראשוני, Nucleus45 , הוא מעגל משולב מלא מסוג RF Front-end IC ( RFeIC ), בטכנולוגיית 802.11ac , בתדר 5GHz ו בתהליך ייצור CMOS של 40nm , ודוגמאות שלו יועברו ללקוחות אסטרטגיים ברבעון הרביעי של שנת 2014. Nucleus4 , מעגל RFeIC מסוג dual-band / dual-mode ובאותו תהליך ייצור של 40nm , יהיה זמין ברבעון הראשון של שנת 2015. בחברה מתכוונים להציג גם את סדרת המוצרים מהדור הבא, Nucleus2 , אשר תספק מעבר חלק מתהליכי ייצור של 40nm לתהליכי ייצור של 28nm .
כדי לשפר עוד יותר את הקצב בפועל של תקשורת הנתונים האלחוטית, ממהרים בענף ה- Wi-Fi לאמץ את תקן 802.11ac החדש של IEEE , אשר תומך בשיטות אפנון ( modulation ) מתקדמות דוגמת 256QAM , עד 8×8 MIMO ( Multiple-In Multiple-Out ) ו- MU-MIMO ( Multi-User MIMO ), על מנת לספק קצב מהיר, ברמה חסרת תקדים, של תקשורת נתונים, שיכול להגיע עד 10 Gbps . על מנת לצמצם עוד יותר את הממדים, להגביר את יכולות המעבד ולשפר את רמת השילוב, החברות שמייצרות שבבי Wi-Fi SoC מקדמות כל העת תהליכי ייצור בקנה מידה קטן יותר, בטכנולוגיית CMOS , עבור המוצרים מהדור הבא.
ככל שנמשך המעבר של טכנולוגיית CMOS לקנה מידה של פחות ממיקרון, דוגמת 40nm , 32nm ו- 28nm , נאלצים המתכננים של RF PA ( Radio Frequency Power Amplifiers ) ו- front-ends בעלי תפוקת כוח גבוהה, ליניאריות טובה וניצולת תחרותית, להתמודד מול אתגרים חדשים בדמות הירידה באספקת המתח, לצד אובדן פאסיבי כתוצאה מדליפה מהמצע. מצד שני, תהליכי CMOS בקנה מידה ננו-מטרי מספקים גם שפע תכונות חדשות ושלל יתרונות חדשים, דוגמת עוצמה חסרת תקדים של עיבוד אותות, שאם תנוצל בצורה נכונה תוכל להניב תועלת רבה בתכנון RF או תכנון אנלוגי.
כך למשל, משתמשים כיום בדרך שכשגרה בטכנולוגיה של DPD ( digital pre-distortion ) בשבבי Wi-Fi SoCs מהמיינסטרים על מנת לספק תפוקת כוח סבירה בשבב, עם ליניאריות טובה לאפנון OFDM , בעוד שטכנולוגיה של ET ( envelope tracking ) מתפתחת במהירות בתחום של CMOS PAs ומסתמנת כתחליף מבטיח ל- GaAs-based PAs ביישומים של מכשירי LTE מדור שלישי או רביעי.
ניתן אמנם ליישם את השיטות הדיגיטליות המתוחכמות ורבות העוצמה על מנת לבקר ולשפר פתרונות RF front-end מכל סוג, אך הסינרגיה הטובה ביותר מושגת כאשר מתכננים ומייצרים הן רכיבי SoC (תחנת בסיס/משדר משיב) והן רכיבי RF באותו תהליך CMOS . זהו בדיוק היעד של משפחת המוצרים Nucleus של RFaxis . עם ארכיטקטורה מוגנת בפטנט, טכנולוגיה קניינית מתקדמת וידע עצמי בתכנון, הצליחה RFaxis להתגבר על מכשולים טכניים רבים ולהשיג עצמת RF גבוהה וליניארית עם התקני CMOS במתח נמוך.
| {loadposition content-related} |
