חברת הזיכרונות הישראלית בחרה באבנט אייסיק כשותפה לפיתוח ולקווליפיקציה של הטכנולוגיה בתהליך N2. שבב בדיקה ראשון הכולל GCRAM יצא לייצור במרץ 2026; החברה טוענת לחיסכון של עד 50% בשטח הסיליקון ועד פי עשרה בצריכת ההספק לעומת SRAM
חברת RAAAM Memory Technologies הישראלית מקדמת את טכנולוגיית הזיכרון המשובץ שלה אל אחד מתהליכי הייצור המתקדמים ביותר בתעשייה. החברה בחרה באבנט אייסיק כשותפת ה־VCA שלה לפיתוח ולקווליפיקציה של GCRAM בתהליך 2 ננומטר של TSMC.
לדברי החברות, טייפ־אאוט של שבב בדיקה ראשון, הכולל זיכרון GCRAM ששולב עבור לקוח, הושלם במרץ 2026. השבב נשלח לייצור, והשלב הבא יהיה בדיקת הסיליקון ואימות ביצועי הזיכרון בפועל, לקראת קווליפיקציה מלאה של הטכנולוגיה.
המעבר ל־2 ננומטר הוא צעד משמעותי עבור RAAAM. תהליך N2 של TSMC נכנס לייצור סדרתי ברבעון הרביעי של 2025, והוא התהליך הראשון של החברה המבוסס על טרנזיסטורי nanosheet מסוג Gate-All-Around. התהליך מיועד בין היתר למעבדי בינה מלאכותית, מחשוב עתיר ביצועים ומערכות ניידות, שבהם נפח הזיכרון המשובץ וצריכת ההספק שלו נעשים מגבלה מרכזית.
ניסיון להתמודד עם בעיית ה־SRAM
במערכות על גבי שבב משמש SRAM בדרך כלל למטמונים ולמאגרי נתונים מהירים הנמצאים סמוך לליבות החישוב. ככל שהדרישה לביצועי בינה מלאכותית ולרוחב פס גדלה, מתכנני השבבים מקצים לזיכרון חלק הולך וגדל משטח הסיליקון.
אלא שקצב המזעור של תאי SRAM הואט בדורות הייצור המתקדמים. גם כאשר טרנזיסטורי הלוגיקה מצטמצמים, תא הזיכרון אינו בהכרח מתכווץ באותו קצב. התוצאה היא עלייה יחסית בשטח שתופס הזיכרון ובעלות הייצור של שבבים עתירי SRAM.
RAAAM מפתחת את GCRAM – זיכרון מסוג Gain-Cell RAM – כחלופה לזיכרון SRAM משובץ. הטכנולוגיה משתמשת בתא זיכרון שונה, שנועד לספק צפיפות גבוהה יותר וצריכת הספק נמוכה יותר, תוך תאימות לתהליכי CMOS רגילים וללא צורך בהוספת שלבי ייצור ייעודיים.
לפי נתוני החברה, GCRAM עשוי לצמצם את שטח הסיליקון המוקצה לזיכרון בעד 50% ולהפחית את צריכת ההספק עד פי עשרה בהשוואה ל־SRAM בצפיפות גבוהה. אלה עדיין נתוני החברה, והמשמעות של שבב הבדיקה ב־2 ננומטר תהיה לבחון עד כמה היתרונות נשמרים בתהליך המתקדם ובתנאי עבודה אמיתיים.
בניגוד ל־SRAM, השומר את המידע כל עוד הוא מוזן בחשמל, זיכרונות Gain Cell מאחסנים מטען חשמלי ודורשים מנגנון רענון. לכן הצלחתם תלויה לא רק בצפיפות התא, אלא גם במשך שמירת המידע, בבקרת הרענון, במהירות הגישה ובעמידות לשונות בתהליך הייצור.
אבנט תלווה את הדרך מהתכנון לסיליקון
אבנט אייסיק תפעל כשותפת Value Chain Aggregator של הפרויקט. במסגרת זו היא מספקת ל־RAAAM גישה לתשתיות ולתהליכי הייצור של TSMC, תמיכה הנדסית, התאמת סביבת התכנון וערכת ה־PDK, ניהול הטייפ־אאוט, הייצור והבדיקות וליווי תהליך הקווליפיקציה.
“עבור חברה המביאה לשוק טכנולוגיה חדשנית, נתיב ברור ויעיל לסיליקון מתקדם הוא קריטי במיוחד”, אמר פבל וילק, מנהל אבנט אייסיק וראש תחום ההנדסה בחברה. לדבריו, השילוב בין גישה לאקוסיסטם של TSMC לבין יכולות תכנון וייצור אמור לסייע לחברות צעירות לעבור מן הפיתוח לייצור.
ערן רותם, סמנכ"ל המחקר והפיתוח של RAAAM, אמר כי התמיכה של אבנט בהכנת תשתיות התכנון, ה־PDK ותהליך הטייפ־אאוט אפשרה לחברה לעמוד בלוח הזמנים של שבב הבדיקה.
מפתח תקווה ולוזאן אל תהליך N2
RAAAM נוסדה בשנת 2021 ופועלת מפתח תקווה ומלוזאן שבשווייץ. החברה מעסיקה כ־25 עובדים וגייסה מאז הקמתה כ־24 מיליון דולר. מתוך סכום זה, כ־17.5 מיליון דולר גויסו בסבב A שהובילה NXP.
הטכנולוגיה של החברה מוגנת, לדבריה, ב־22 פטנטים. גרסאות קודמות של GCRAM הודגמו בסיליקון בתהליכים שבין 180 ל־16 ננומטר ונבחנו גם בתהליך 5 ננומטר. המעבר לתהליך 2 ננומטר נועד להוכיח שהזיכרון יכול להשתלב בדור הבא של מערכות על גבי שבב, שבו מגבלת הזיכרון נעשית לעיתים חשובה לא פחות מביצועי ליבות החישוב.
אם שבב הבדיקה יעמוד ביעדי הצפיפות, ההספק והיציבות, RAAAM תוכל להציע את GCRAM כבלוק קניין רוחני לשילוב במעבדי בינה מלאכותית, שבבי רכב, התקני קצה ומערכות מחשוב עתירות ביצועים. עם זאת, הדרך לשימוש מסחרי עדיין כוללת בדיקות סיליקון, קווליפיקציה, הכנת כלי תכנון והוכחת אמינות לאורך זמן.
תגיות:
RAAAM, אבנט אייסיק, TSMC, GCRAM, SRAM, זיכרון משובץ, 2 ננומטר, N2, תכנון שבבים, מערכות על גבי שבב, בינה מלאכותית, NXP
כיתוב תמונה:
המחשה של שיתוף הפעולה בין אבנט אייסיק ל־RAAAM בפיתוח זיכרון GCRAM בתהליך 2 ננומטר של TSMC. קרדיט: Avnet ASIC ו־RAAAM
הנתונים על יתרונות ה־GCRAM הם יעדים וטענות של RAAAM, ולא תוצאות עצמאיות של שבב ה־2 ננומטר. אתר החברה מציין הפחתה של עד 50% בשטח ועד פי עשרה בהספק, לצד תאימות ל־CMOS; הוא גם מציין הדגמות קודמות בתהליכים שבין 180 ל־16 ננומטר ובחינה ב־5 ננומטר. (RAAAM Technologies)
TSMC מאשרת כי N2 נכנס לייצור סדרתי ברבעון הרביעי של 2025 וכי הוא מבוסס על טרנזיסטורי nanosheet. (tsmc.com) אבנט אייסיק מציגה באתרה שירותי תכנון, ייצור Turnkey, קווליפיקציה ושיתוף פעולה עם TSMC, התואמים לתפקיד ה־VCA המתואר בהודעה. (avnet-asic.com)
